从硅到玻璃，TGV 技术如何重塑半导体封装？

如今，半导体行业正面临一个关键转折。摩尔定律逐渐逼近物理极限，提升芯片性能的重心，已转向三维集成。

2.5D/3D 封装、异构集成等先进技术普及后，对垂直互连密度和基板性能的要求越来越高。

传统硅基板的短板却愈发明显：高频信号传输受限、制造成本高、工艺复杂。相比之下，玻璃基板凭借独特优势，正成为下一代芯片基板的热门之选。而玻璃通孔（TGV，Through Glass Via），正是让玻璃基板实现三维集成的核心技术 —— 它像芯片世界里的 “微型通道”，推动半导体封装从 “硅基时代” 迈向 “玻璃基时代”。

什么是 TGV？
简单说，TGV 就是穿过玻璃基板的垂直电气互连。与硅通孔（TSV）对应，它被视作可能替代硅基板的下一代三维集成关键技术。

TGV 以高品质硼硅玻璃或石英玻璃为基材，通过激光诱导、蚀刻、种子层溅射、电镀填充、化学机械平坦化（CMP）、RDL（再布线层）、Bump 工艺等，实现三维互联。这些微通孔直径通常在 10μm 到 100μm 之间。在先进封装中，每片晶圆往往需要数万个到数百万个 TGV 通孔，且需金属化处理以保证导电性。

TGV 为何比 TSV 更优？